庄闲和游戏官网

中文 EN
首页
关于庄闲和游戏官网
新品宣布
120V SGT工艺N-Channel MOSFET
120V SGT工艺N-Channel MOSFET 返回
 新产品宣告

产品先容 1.接纳庄闲和游戏官网科技SGT特殊工艺制程，凭证电机驱动和电源应用要求，优化导通内阻（Rdson)和 栅极电荷（Qg)性能，降低导通消耗和开关消耗，提升系统效率 ；
2.解决高速Gan电源应用时di/dt大带来的副边电压尖峰高的问题，提升产品整体的可靠性。
产品特点 1.接纳庄闲和游戏官网科技SGT特殊工艺制程设计，具有更高的工艺稳固性和可靠性 ；
2.系列产品具有更快的开关速率，更小的栅电荷和更高的应用效率 ；
3.接纳PDFN5060封装，更好的热阻特征。
规格书

YJG88G12A

相关新品

用于汽车电子的LFPAK56D封装MOSFET

JC系列

微沟槽IGBT 650V单管——让大电流应用“轻装上阵”

SOD-123HE瞬态抑制二极管

低功耗可控硅，付与小家电更多可能！

汽车电机驱动用N40V SGT MOSFET新品

用于PC主板的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfet

PB-A新封装适配广，多场景“闭眼入”不踩雷

SOD-323HE瞬态抑制二极管

3GBJ三相插件桥封装新品

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验，相关信息请会见我们的执法声明与隐私声明。若是您选择继续浏览这个提醒，便体现您已接受我们网站的使用条款。

网站地图