庄闲和游戏官网

中文 EN
首页
关于庄闲和游戏官网
新品宣布
突破硅基局限，SiC MOSFET解锁光伏微逆与工业电源新能效
突破硅基局限，SiC MOSFET解锁光伏微逆与工业电源新能效 返回
 新产品宣告

产品先容 庄闲和游戏官网科技克日推出了杰冠微自产1200V 120mΩ SiC MOSFET产品，包括TO-247AB、TO-247-4L以及TO-263-7L三种封装。在追求极致能效与系统紧凑化的电力电子设计中，完善平衡了导通消耗与开关性能，专为替换古板硅基超结MOSFET而生。
产品特点 依附SiC质料的物理特征，该器件拥有极低的寄生电容和极快的开关速率。其体二极管具备极低的反向恢复电荷（Qrr），能显著降低开关消耗，使电源系统轻松实现高频化设计，大幅提升功率密度。
支持高达 175°C 的结温事情情形。相比一律规格的硅器件，它能大幅镌汰散热器体积，甚至在部分低功率密度设计中实现无电扇散热，降低了系统整体本钱。
规格书

YJD2120120B7YG3 YJD2120120NCFYG3 YJD2120120NCTYG3

相关新品

微沟槽IGBT 650V单管——让大电流应用“轻装上阵”

用于汽车PTC的IGBT单管新品

MT-W三相方桥新品

恒VC ESD产品

顺应扁平化趋势的全新插件整流桥-JC

整流+制动新结构IGBT�？�，适配伺服变频系统紧凑型设计需求

TOLL封装 SiC MOSFET

应用于PD电源的100V 3.2mΩ SGT MOSFET新品

SOD-323FL小型封装整流二极管

用于汽车电子的LFPAK56D封装MOSFET

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验，相关信息请会见我们的执法声明与隐私声明。若是您选择继续浏览这个提醒，便体现您已接受我们网站的使用条款。

网站地图