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新品宣布
N100V MOSFET：给PD电源安排“低耗抗造”超顶内核~
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 新产品宣告

产品先容 庄闲和游戏官网科技最新推出了一系列用于PD电源的N100V MOSFET产品 ，产品接纳特殊优化的SGT手艺 ，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg ，显着降低导通和开关消耗 ，同时提升了MOSFET抗雪崩攻击能力。
产品特点 1.接纳最新优化的SGT工艺, 产品内阻低 ，开关特征优异；
2.接纳PDFN5*6-8L 封装 ，适用于PD电源同步整流应用；
3.针对电源应用的种种事情状态, 优化MOS产品EAS能力 ，提高产品的可靠性。
规格书

YJG4D6G10H YJG5D2G10H YJG6D3G10H YJG7D4G10H YJG8D0G10H

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